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QT-8400功率器件多Site測試系統
探索第三代電晶體的無限可能

測試主機

GaN

Power Device

QT-8400由測試主機與測試站Test Kit組成，
其中Test Kit分為兩種： Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit
可根據需求進行選擇

  • Power Device Test Kit

    面向MOSFET/SIC、二極體、三極管等CP測試需求的 Power Device Test Kit.

  • GaN Test Kit

    面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度
創新標識設計
站坐快速切換
觸動人心的
用戶體驗
8400主機殼從人體工學設計出發針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據個人身高差异自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

創新標識設計
站坐快速切換
觸動人心的
使用者體驗
8400主機殼從人體工學設計出發針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據個人身高差异自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

105cm
站姿鍵盤高度
75cm
坐姿鍵盤高度
並行測試，效率倍增
支持2/4/8/16 Site並行測試，滿足客戶對更高測試效率的需求。
測試需求，全方位覆蓋
QT-8400 整機提供 20A/100A、1KV/2KV 的技術指標，能夠滿足大多數第三代半導體的測試需求。 如果客戶有更高規格的需求，我們也支援擴充高壓/直流模組，最高可達 8KV, 2000A。 對於有動態測試需求的用戶，我們還提供雪崩、RGCG，動態 RDson 等模組的擴展，並規劃未來相容更多的動態測試模組。

QT-8400 GaN

QT-8400 D

測試範圍

專用於氮化鎵動靜態電參數測試

測試範圍

專用於 MOSFET/SIC 、二極體、三極管、IGBT等 CP測試。

參數指標

懸浮 V/I 源
電壓 1KV/2KV
20-100A；

參數指標

懸浮 V/I 源
電壓1KV/2KV/3KV
20-100A/200A

平行測試數

2/4/8/16 Site

平行測試數

2/4/8/16 Site

可擴充動態模組

LCR測試模組（CG）
動態 RDSON 模組（支援硬切和軟切）

可擴充動態模組

雪崩測試模組（UIS、EAS）
LCR測試模組（RG、CG）

可擴充高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

可擴充高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

精準測量

Power Device Test Kit內建精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。

精準測量

GaN Test Kit內建精密測量電路，實現nA級和mΩ級的精準測量。

闆卡資源靈活搭配
我們的設備採用可插拔式闆卡架構，讓您可以根據需求靈活搭配闆卡，從而實現精準把控測試成本。
功能全面，滿足各類需求
測試主機闆卡均為四象限V/I源，配備AWG及示波器，功能全面，滿足如 I-V 曲線等各類掃描測試需求。

內建示波器圖

AWG編輯器
PTS OS 直覺易用，
專為測試&生產而設計
我們對 QT-8400 PTS OS 軟體介面全面優化，以提升實用性、美觀性和易用性。 大幅提高測試開發、生產以及調試校準效率，使用戶輕鬆上手高效操作。

* 已申請專利

中國廣東省佛山市南海國家高新區新光源產業基地光明大道16號
+86 757 83207313 (銷售)
+86 757 83208786 (銷售)
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